탄화규소를 생산하는 가장 간단한 방법은 석영 모래와 석탄과 같은 탄소를 최대 섭씨 2500도의 고온 -에서 녹이는 것입니다. 더 어둡고 일반적인 버전의 탄화규소에는 철과 탄소의 불순물이 포함되어 있는 경우가 많지만 순수한 SiC 결정은 무색이며 탄화규소가 섭씨 2,700도에서 승화할 때 형성됩니다. 일단 가열되면 이러한 결정은 Lely 방법으로 알려진 공정을 통해 더 낮은 온도에서 흑연 위에 증착됩니다.
Lely 방법: 이 공정에서는 일반적으로 유도에 의해 화강암 도가니를 매우 높은 온도로 가열하여 탄화규소 분말을 승화시킵니다. 더 낮은 온도의 흑연 막대는 기체 혼합물에 있어서 순수한 탄화규소가 침전되어 결정을 형성할 수 있습니다.
화학 기상 증착: 대안으로 제조업체에서는 탄소 기반 합성 공정에서 흔히 사용되며 반도체 산업에서 사용되는 화학 기상 증착법을 사용하여 입방형 SiC를 성장시킵니다. 이 방법에서는 가스의 특수 화학적 혼합물이 진공 환경에 도입되어 기판에 증착되기 전에 결합됩니다.
탄화규소 웨이퍼를 생산하는 두 가지 방법 모두 성공하려면 엄청난 양의 에너지, 장비 및 지식이 필요합니다.