실리콘 카바이드를 생산하는 가장 간단한 방법은 실리카 모래와 석탄과 같은 탄소를 고온(최대 2,500도 섭씨)에서 녹이는 것입니다. 더 어둡고 일반적인 실리콘 카바이드 버전은 종종 철과 탄소 불순물을 포함하지만 순수한 SiC 결정은 무색이며 실리콘 카바이드가 2,700도 섭씨에서 승화될 때 형성됩니다. 가열 후 이러한 결정은 Lely 방법으로 알려진 공정에서 더 낮은 온도에서 흑연에 증착됩니다.
렐리 방식: 이 공정에서, 화강암 도가니는 보통 유도에 의해 매우 높은 온도로 가열되어 실리콘 카바이드 분말을 승화시킵니다. 낮은 온도의 흑연 막대는 기체 혼합물에 있어서 순수한 실리콘 카바이드가 침전되어 결정을 형성할 수 있습니다.
화학 기상 증착: 또는 제조업체는 탄소 기반 합성 공정에서 일반적으로 사용되고 반도체 산업에서 사용되는 화학 기상 증착을 사용하여 입방형 SiC를 성장시킵니다. 이 방법에서는 특수한 화학 가스 혼합물을 진공 환경에 도입하여 기판에 증착하기 전에 결합합니다.
두 가지 실리콘 카바이드 웨이퍼 생산 방법 모두 성공하려면 엄청난 양의 에너지, 장비 및 지식이 필요합니다.
