탄화규소의 성질

-의 탄화규소는 화학적 안정성, 높은 열전도율, 작은 열팽창 계수, 우수한 내마모성을 가지며 연마 용도 외에도 다음과 같은 용도로 많이 사용됩니다. 탄화규소 분말을 터빈 임펠러 또는 실린더 본체의 내벽에 적용하는 특수 기술은 내마모성을 향상시키고 서비스 수명을 1 - 2배 연장할 수 있습니다. 고품질 내화 재료, 내열 지진, 소형, 경량 및 고강도를 만드는 데 사용되며 에너지 절약 효과가 좋습니다. 저품질 탄화규소(SiC 약 85% 함유)는 제강 속도를 높이고 화학 성분을 쉽게 제어하며 강의 품질을 향상시킬 수 있는 우수한 탈산제입니다. 또한, 탄화규소는 전열 전지용 실리콘 막대를 만드는 데에도 널리 사용됩니다.
탄화규소의 경도는 매우 높으며 무리뉴 경도는 9.5로 세계에서 가장 단단한 다이아몬드(레벨 10)에 이어 두 번째로 우수한 열전도 특성을 가지며 고온에서 산화에 강한 반도체이다.
탄화규소는 적어도 70가지 결정질 유형을 가지고 있습니다.. -탄화규소는 가장 일반적인 이성질체로 2000도 이상의 고온에서 형성되며 육각형 결정계(섬유 아연 광석)의 결정 구조를 갖습니다.. - 다이아몬드와 유사한 입방형 결정계 구조인 탄화규소[13]는 2000도 이하의 온도에서 형성됩니다. 헤테로상 촉매를 사용하는 경우 - -의 탄화규소 비율은 - 탄화규소는 표면보다 더 넓은 면적을 갖습니다. 또 다른 탄화규소인 μ- 가장 안정적인 탄화규소는 충돌할 때 더 기분 좋은 소리를 낼 수 있습니다. 그러나 지금까지 이 두 종류의 탄화규소는 상업적으로 사용되지 않았습니다.
탄화규소의 비중은 3.1g/cm3이고 승화온도가 비교적 높기 때문에(약 2700도) 베어링이나 고온로의 원료로 이상적이다. 달성 가능한 압력에서는 녹지 않으며 화학 반응성이 상당히 낮습니다. - 탄화규소의 높은 열 전도성, 높은 파괴 전계 강도 및 높은 전류 밀도로 인해 이를 실리콘 대체재로 사용하려는 시도가 있어 왔으며, 특히 고전력 반도체 셀에서 더욱 그렇습니다. 또한, 탄화규소는 마이크로파 방사선에 대한 강한 친화력을 가지며 상승점으로 인해 금속 가열에 적합합니다.
순수한 탄화규소는 무색이지만 산업 생산에서는 철과 같은 불순물이 존재하기 때문에 색상은 일반적으로 갈색에서 검정색을 띕니다. 결정의 표면은 이산화규소의 보호층이 형성되어 -에서 무지개빛을 띕니다.
SiC-는 도핑을 통해 SiC 물질의 에너지 준위 구조를 변화시키고, 그 특성을 더욱 조절하는 반도체로, 주로 A, B, N 및 기타 원자를 도핑하기 위해 이온 주입을 사용합니다. 그 중: Al과 같은 - 수용 원자는 SiC 격자의 Si 위치를 대체하여 깊은 지면 에너지 준위를 형성하고 P - 유형 반도체를 생성할 가능성이 더 높습니다. N 및 P와 같은 - 도너 원자는 C 결정 격자 위치를 차지하고 얕은 도너 준위를 형성하여 N - 유형 반도체를 얻을 가능성이 더 높습니다. SiC는 다른 광대역 반도체에서는 부족한 넓은 도핑 범위(1X1014 - 1X1019 cm- 3)를 가지고 있으며, 이 범위에서는 AI 도핑 후 낮은 저항률의 4H - SiC 단결정과 같은 N형 및 P형 도핑을 쉽게 구현할 수 있다는 점에 주목할 필요가 있습니다.